时间：2025/5/13 9:29:24
阅读：6
CH03-DE060-ABR GRA是一种高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于高效率电源转换和电机驱动等领域。该芯片采用了先进的沟槽式结构设计，具备低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低功耗并提升系统性能。
型号：CH03-DE060-ABR GRA
类型：N沟道功率MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：30A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ（典型值）
总栅极电荷(Qg)：85nC
开关频率：最高支持1MHz
工作温度范围：-55℃至+175℃
该芯片采用了最新的半导体制造工艺，具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，可有效减少功率损耗。
2. 高速开关能力，适合高频应用环境。
3. 良好的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。
4. 内置过温保护功能，增强了系统的安全性。
5. 小型化封装设计，节省PCB空间。
6. 支持大电流输出，适用于高负载应用场景。
这些特点使得CH03-DE060-ABR GRA成为高效能功率转换的理想选择。
CH03-DE060-ABR GRA广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 新能源汽车的电池管理系统(BMS)。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 太阳能逆变器和储能系统。
其卓越的性能和可靠性为各种电力电子设备提供了强有力的支持。
IRFZ44N
FDP5500
STP36NF06L
